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元件参数资料
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参数目录39599
> STS6NF20V MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC
型号:
STS6NF20V
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STS6NF20V PDF
其它有关文件
STS6NF20V View All Specifications
标准包装
2,500
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
600mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
460pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-12679-2
STS6NF20V-ND
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